Зарядное устройство на базе технологии GaN имеет меньший размер, но большую мощность. Оснащено 3 разъёмами для одновременной подзарядки 3-х устройств. Поддерживает PD и другие протоколы быстрой зарядки (QC/SCP/FCP).
Полупроводник нитрида галлия (GaN) третьего поколения помогает зарядному устройству выделять меньше тепла и ускоряет процесс теплоотвода. В то же время, это зарядное устройство обеспечивает удвоенную плотность мощности и снижает потери энергии на 80%, что также означает повышение эффективности использования энергии.
Техническое описание
Сетевое зарядное устройство
Мощность: 65 Вт
Выходные разъёмы: 2×USB-C, 1×USB-A
Элементы силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN)